技術(shù)編號：7231887
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的來說涉及。技術(shù)背景為了制造更小的半導(dǎo)體器件，圖案也變得更小。為了得到精細(xì) 的圖案，已經(jīng)進(jìn)行了各種研究以改進(jìn)光阻和曝光機(jī)。關(guān)于曝光機(jī)，已經(jīng)使用KrF (248nm)和ArF (193nm)作為曝 光光源，并且已經(jīng)嘗試使用諸如F2 (157nm)或EUV (13nm;遠(yuǎn)紫 外光)等短波長光源或者增加數(shù)值孔徑(NA)。但是，當(dāng)應(yīng)用諸如F2等新的光源時，需要新的曝光機(jī)，導(dǎo)致制 造成本增加。另外，數(shù)值孔徑的增加使焦深范圍降低。盡管已經(jīng)研究出使用具有高折射率...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。