技術(shù)編號：7230506
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造中。 背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的集成度提高，要求器件具備更短的響應(yīng)時間，更大的驅(qū) 動開啟電流，因此，多晶硅柵極的尺寸也必須持續(xù)的縮小。為了減輕日益 縮小的柵極尺寸對于光刻，刻蝕工藝的壓力，刻蝕的程序被進(jìn)一步調(diào)整， 形成T型多晶硅柵電極，通過縮小多晶硅柵電極底部線寬尺寸，實現(xiàn)減小 實際的溝道長度，從而滿足器件的需求。另外，半導(dǎo)體器件制備過程中的 柵極刻蝕制備， 一般采用正性光刻膠和柵極掩膜版來實現(xiàn)。常見的T多晶 硅柵電極的制備工藝流程如...
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