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一種解決半導(dǎo)體硅刻蝕工藝偏移的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7228561

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體硅刻蝕工藝,具體地說,涉及一種解決半 導(dǎo)體硅刻蝕工藝偏移的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)大規(guī)模集成電路的工藝過程中,需要在硅片表面加工出具有細(xì)微尺寸的圖形。要求在不同時(shí)間、不同狀態(tài)時(shí), 一臺(tái)刻蝕設(shè)備刻蝕硅片后得到的圖形重復(fù)性一定要好,這直接影響著刻蝕設(shè)備 機(jī)臺(tái)的產(chǎn)率和良率。目前,在維護(hù)腔室穩(wěn)定狀態(tài)的工藝方面,已經(jīng)有一些經(jīng)驗(yàn),但是 對(duì)恢復(fù)刻蝕設(shè)備到刻蝕狀態(tài)這樣的工藝也是依賴于刻蝕設(shè)備之前的 環(huán)境。如果這種工藝不合適,將有可能導(dǎo)致產(chǎn)品硅片的刻蝕...
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