技術(shù)編號(hào)：7226067
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜太陽電池光電轉(zhuǎn)換材料的制備工藝，特別涉及一種太陽能電池薄膜材料的數(shù)字噴印制備工藝。背景技術(shù) 太陽能在環(huán)境保護(hù)、可持續(xù)性發(fā)展等方面具有無可替代的優(yōu)勢(shì)。近年來，直接帶隙材料薄膜太陽電池的開發(fā)成為新的研究熱點(diǎn)，薄膜太陽電池只需幾微米厚就能實(shí)現(xiàn)高效率的光電轉(zhuǎn)換，是降低成本及提高光子循環(huán)的理想器件。在薄膜太陽電池研究中，CuIn(1-x)GaxSe2(CIGS)薄膜電池因具有成本低(僅為晶體硅太陽電池的1/10)、轉(zhuǎn)換效率高(目前已達(dá)到19.3％)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。