技術(shù)編號(hào)：7181843
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種交錯(cuò)式存儲(chǔ)器陣列裝置，特別涉及一種交錯(cuò)式存儲(chǔ)器陣列裝置具 有一存儲(chǔ)器堆疊包括導(dǎo)電橋接式存儲(chǔ)器構(gòu)件與電阻開關(guān)式存儲(chǔ)器構(gòu)件相串聯(lián)。背景技術(shù)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器需要三個(gè)端點(diǎn)的MOSFET元件。上述元件的布局并非理想地 適用于非易失性存儲(chǔ)器，因各存儲(chǔ)胞通常需要的構(gòu)造面積為8f2，其中f為最小的構(gòu)造面 積。而交錯(cuò)式存儲(chǔ)器陣列裝置，例如可編程金屬胞隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱PMCRAM，又被稱為 導(dǎo)電橋接式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(CBRAM))、相變化存儲(chǔ)器(PCM)、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。