技術(shù)編號(hào)：7109252
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子技術(shù)，特別涉及高電子遷移率晶體管。背景技術(shù)氮化鎵與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比具有更優(yōu)良的電學(xué)性能，它是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高飽和速度及高熱穩(wěn)定性等，由于氮化鎵材料的優(yōu)良性能，使得其得到了人們的極大關(guān)注和研究，其中研究最為廣泛的是AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT )，該器件在高頻、高功率、高溫等都有應(yīng)用.AlGaN/GaN聞電子遷移率晶體管是一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它是利用具有很聞 遷移率的二維電子氣(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。