技術(shù)編號：7104938
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在此所述的實施例涉及。背景技術(shù)氮化物半導(dǎo)體的特征在于它們的高飽和電子速率和寬帶隙。因此，已經(jīng)廣泛地調(diào)查了氮化物半導(dǎo)體，旨在利用這些特性將它們應(yīng)用到高擊穿電壓、高輸出的半導(dǎo)體裝置。例如，作為氮化物半導(dǎo)體的GaN具有3. 4eV的帶隙，該帶隙大于Si的帶隙(1.1eV)和GaAs的帶隙(1.4eV)。因此，GaN具有大的擊穿場強。GaN因此作為用于構(gòu)成電源設(shè)備的化合物半導(dǎo)體裝置的材料很有希望，該電源設(shè)備能夠在高壓下運行并且能夠產(chǎn)生大的輸出。已經(jīng)作出了關(guān)于利用氮...
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