技術(shù)編號：7098832
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種微電子的，尤其涉及ー種能夠提高圖形線寬量測精度對準(zhǔn)的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體芯片制造中，使用光刻機(jī)(scanner)曝光定義電路圖形,線寬尺寸(⑶)越來越小，掃描式電子顯微鏡(SEM)是量測特征尺寸線寬的主要設(shè)備。其成像原理是電子束照射在被量測物體上，在不同形貌區(qū)域產(chǎn)生不同數(shù)量的二次電子。收集二次電子信號并轉(zhuǎn)化成特征尺寸線寬的圖像。當(dāng)電子束照射在光刻膠上時(shí)，會對光刻膠造成電子照射損傷，導(dǎo)致光刻膠圖形變形，影響特征尺寸線寬的量測結(jié)果。為了減少對光刻...
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