技術(shù)編號：7089216
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及ー種CMOS半導(dǎo)體器件集成エ藝，尤其涉及ー種制備無定形碳犧牲柵極結(jié)構(gòu)的淺結(jié)和側(cè)墻的方法。背景技術(shù)中國專利CN 101593686A披露了一種制備金屬柵極的集成エ藝,采用無定形碳作為可犧牲柵極材料，形成Gate-Iastエ藝所需的基體結(jié)構(gòu)。具體エ藝流程包括在基底上形成柵介質(zhì)層；在所述柵介質(zhì)層上形成圖形化的非晶碳層；形成環(huán)繞所述圖形化的非晶碳層的側(cè)墻；形成覆蓋所述圖形化的非晶碳層及側(cè)墻的層間介質(zhì)層；平坦化所述層間介質(zhì)層并暴露所述圖形化的非晶碳層；采用...
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