技術(shù)編號：7060816
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，包括以下步驟步驟1在砷化鎵襯底上依次制作n型限制層、n型高折射率插入層、n型低折射率插入層、n型波導(dǎo)層、量子阱有源區(qū)、p型波導(dǎo)層、p型低折射率插入層、p型高折射率插入層、p型限制層和p型接觸層；步驟2將P型接觸層和P型限制層濕法腐蝕或干法刻蝕成脊型；步驟3在制作成脊型的上面生長一層氧化模，并采用光刻的方法在p型接觸層的上表面制作p型歐姆電極；步驟4將砷化鎵襯底減薄、清洗，并在砷化鎵襯底的背面制作n型歐姆電極，形成激光器；步驟5進(jìn)行解理，在激光器的腔面...
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