技術(shù)編號：7054230
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于CMOS圖像傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種基于輻射環(huán)境應(yīng)用的快速電荷轉(zhuǎn)移像素結(jié)構(gòu)。為了解決現(xiàn)有的無法對像素起到抗輻射加固效果，并不適用于輻射環(huán)境的問題，本發(fā)明包括P型外延層上設(shè)置有閉合環(huán)形的電荷傳輸管TG多晶硅柵極，P型外延層內(nèi)設(shè)置有N埋層，N埋層上設(shè)置有P+鉗位層，P+鉗位層、N埋層和P型外延層組成鉗位二極管PPD，電荷傳輸管TG多晶硅柵極外部設(shè)置一周浮空擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD，浮空擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD上設(shè)置若干接觸孔，并連接有復(fù)位管的漏極和源跟隨器的柵極，浮空擴(kuò)散節(jié)...
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