技術(shù)編號：7040813
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的鈍化層，它是由氧化鈰構(gòu)成。其鈍化工藝為在P型或N型晶體硅的制作中，當(dāng)P型晶體硅完成沉積減反射膜工序或者N型晶體硅完成擴(kuò)散硼或邊緣刻蝕工序后，先采用原子層沉積方法在P型晶體硅襯底背光面的P型一側(cè)或N型晶體硅襯底向光面的P型一側(cè)沉積氧化鈰鈍化層，然后進(jìn)行退火處理，在鈍化層與P型晶體硅襯底背光面的P型一側(cè)或N型晶體硅襯底向光面的P型一側(cè)之間形成SiO2緩沖層，完成鈍化層的制備。本發(fā)明能有效提高鈍化的介電常數(shù)和晶格匹配度，從而提高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。