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一種半導(dǎo)體材料過(guò)濾位錯(cuò)的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7040591

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本發(fā)明涉及,提供第一晶體層,在所述第一晶體層上依次外延生長(zhǎng)內(nèi)嵌有金屬顆粒的過(guò)濾層和器件層,利用嵌入在半導(dǎo)體材料內(nèi)部的金屬顆粒過(guò)濾位錯(cuò)。本發(fā)明操作工藝簡(jiǎn)單,易控制,可有效地過(guò)濾穿透位錯(cuò),具有良好的應(yīng)用前景。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體電子與光電子材料領(lǐng)域,特別涉及。背景技術(shù)[0002]晶格失配與熱膨脹系數(shù)失配一直是制約半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的重要因素。高質(zhì)量、大尺寸、低價(jià)格的商用襯底種類只有有限幾種,或者特定情況下襯底材料已被選定(例如II1-V與硅基集...
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