技術(shù)編號：7039766
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種電流阻擋層的制作方法及相應(yīng)LED芯片，其中制作方法包括如下步驟S1.對晶圓表面進(jìn)行清洗；S2.在N型半導(dǎo)體層上刻蝕Mesa區(qū)域；S3.再將晶圓放入氣相化學(xué)沉積儀的腔體內(nèi)，在對晶圓進(jìn)行預(yù)熱，并抽真空，保持腔體內(nèi)溫度恒定；S4.第一次沉積二氧化硅膜；S5第.二次沉積二氧化硅膜；S6.第三次沉積二氧化硅膜，光刻腐蝕形成電流阻擋層，并去除光刻膠。本發(fā)明的電流阻擋層的制作方法通過多步沉積的方式形成層狀的電流阻擋層，如此使得硅能夠充分反應(yīng)生成氧化硅，達(dá)...
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