技術(shù)編號(hào):7039760
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種,所述半導(dǎo)體襯底包括第一半導(dǎo)體層以及位于所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層,所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層以及各自按其晶格對(duì)稱性旋轉(zhuǎn)后在垂直方向上均具有不同的解離面。本發(fā)明的半導(dǎo)體襯底具有特殊的晶格結(jié)構(gòu)和力學(xué)結(jié)構(gòu),將半導(dǎo)體襯底設(shè)為復(fù)合型襯底結(jié)構(gòu),同樣襯底厚度的條件下,可以減少半導(dǎo)體外延層施加的應(yīng)力對(duì)半導(dǎo)體襯底產(chǎn)生的損害,從而減半導(dǎo)體襯底破碎的幾率;同時(shí)可以減小工藝難度,增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的可靠性。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及微電子,特別是涉及一...
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