技術編號：7012972
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種制作多晶硅柵的工藝方法，包括如下步驟在形成有PWELL和/或NWELL的半導體襯底上生長一層柵氧化介質(zhì)層，接著在柵氧化介質(zhì)層，生長一層多晶硅層；通過離子注入方式對多晶硅層進行表面摻雜工藝；其中，NMOS器件注入N型摻雜雜質(zhì)，PMOS器件注入P型摻雜雜質(zhì)；采用多晶硅蝕刻工藝在已摻雜所述多晶硅層上形成多晶硅柵；采用原子氧氧化工藝氧化所述多晶硅柵，在多晶硅柵表面形成一層致密氧化層。因此，本發(fā)明利用原子氧氧化工藝消除因摻雜工藝導致多晶硅氧化速率不一致...
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