技術編號：7009150
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體集成電路制造，具體涉及一種在擴散阻擋層上制備超薄銅籽晶層的方法及其應用。本發(fā)明采用原子層沉積方式制備超薄銅籽晶層，包括如下步驟將雙（六氟乙酰丙酮）合銅吸附在擴散阻擋層上，氣流量為100-500標準毫升毎分鐘；再將二乙基鋅吸附在擴散阻擋層上，氣流量為100-500標準毫升毎分鐘。其優(yōu)點在于采用ALD方法來生長銅籽晶層，在較低的工藝溫度下，每個生長周期只形成約為0.03～1nm左右厚度的薄膜，可以有效地控制銅籽晶層的厚度，具有良好的溝槽填充性能...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權(quán)，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。