技術(shù)編號(hào):6997498
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。—種改進(jìn)的具有電流阻擋層的LED芯片及其制備方法本發(fā)明屬于半導(dǎo)體,涉及LED芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法,特指ー種改進(jìn)的具有電流阻擋層的LED芯片及其制備方法。背景技木目前,發(fā)光二極管(LED)芯片結(jié)構(gòu)有正裝結(jié)構(gòu),垂直結(jié)構(gòu)和倒裝焊結(jié)構(gòu),其中正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片如圖I所示,主要包括襯底I、形成在襯底上的緩沖層2 (bufferlayer)、形成在緩沖層上的N型半導(dǎo)體層3、形成在N型半導(dǎo)體層上的發(fā)光層4、形成在發(fā)光層上的P型半導(dǎo)體層5,形成P型半導(dǎo)體層5上的透明導(dǎo)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。