技術(shù)編號：6987398
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及真空處理裝置，尤其是涉及使用等離子體對基板進(jìn)行處理(也包括干式蝕刻)的真空處理裝置。背景技術(shù)通常，為了提高薄膜太陽能電池的生產(chǎn)性，重要的是高速且大面積地制成高品質(zhì)的硅薄膜。作為這種進(jìn)行高速且大面積的成膜的方法，已知有利用等離子體CVD (化學(xué)氣相沉積)法的成膜方法。例如作為薄膜硅太陽能電池的基本的材料的非晶硅膜是以SiH4氣體或SiH4氣體和氫氣的混合氣體為原料，通過等離子體CVD法制作的。有時單層地使用非晶硅膜，并且也作為與微晶硅的2層串聯(lián)、進(jìn)...
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