技術編號：6947399
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體材料制備領域，尤其涉及一種絕緣體上應變硅材料的制備方法。背景技術隨著集成電路工藝的發(fā)展，器件的特征尺寸不斷縮小，體硅材料較低的電子和空 穴遷移率已經(jīng)成為提高器件性能的瓶頸。應變硅(strained silicon)通過在晶格常數(shù)不同 于硅的材料上外延硅，或者其他工藝方法引起硅晶格結構的拉伸或者壓縮形變而形成。由 于其可以有效提高載流子遷移率，已經(jīng)成為面向新一代半導體工藝節(jié)點的候選襯底材料。 SiGe襯底具有與Si不相同的晶格常數(shù)，在SiGe...
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