技術(shù)編號(hào)：6947397
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，尤其涉及一種在絕緣層中嵌入納米晶的半導(dǎo)體 材料制備方法。背景技術(shù)隨著航天技術(shù)的飛速發(fā)展，應(yīng)用在輻射環(huán)境下的電子學(xué)系統(tǒng)越來越多，由于輻射 能夠造成電子元器件和集成電路性能的退化和改變，從而影響由此組成的電子學(xué)系統(tǒng)的可 靠性、縮短系統(tǒng)的壽命，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致任務(wù)的失敗。對(duì)于在軌運(yùn)行的航天器來講，輻射 將會(huì)造成短時(shí)功能失效和縮短在軌運(yùn)行壽命。SOI (絕緣體上的硅SiliCon-On-Insulator 或絕緣體上的半導(dǎo)體Aemic...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。