技術(shù)編號：6947395
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有絕緣埋層的厚膜材料的制備 方法。背景技術(shù)目前，厚膜S0I(絕緣體上的硅Silicon-On-Insulator或絕緣體上的半導(dǎo)體 Semiconductor-On-Insulator)材料廣泛的應(yīng)用于高壓功率器件和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng) 域，特別是在汽車電子、顯示、無線通訊等方面發(fā)展迅速。所謂厚膜S0I材料通常是指頂層 半導(dǎo)體層大于1 P m的材料。由于電源的控制與轉(zhuǎn)換、汽車電子以及消費(fèi)性功率器件方面對 惡劣...
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