技術(shù)編號：6937454
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制作工藝，特別是涉及一種后端制作工藝整合(backend process integration)的方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體制作工藝不斷地發(fā)展，金屬接觸窗或介層窗開口也將變得愈來愈小，因而目前多使用多晶硅(polysilicon)或非晶硅(amorphous silicon)取代光致抗蝕劑(photo resist)作為硅硬掩模層(silicon hardmask)。然而，在蝕刻制作工藝后如果不移除硅硬掩模層，此硅硬掩模層將會在后續(xù)進(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。