技術編號：6931949
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種形成半導體器件的方法，且特別是有關于一種。背景技術 在半導體的制造過程中，導電結構之間通常是以介電材料作為隔離導電結構的絕緣體。其中，導電結構例如是內聯(lián)機(Interconnect)、柵極或是介層插塞(Plug)。隨著半導體器件線寬不斷的縮小，相鄰的結構之間的間距也隨之縮小。因此利用具有低介電常數(shù)的介電材料以作為介電層的材料，可以通過減少寄生電容以及降低RC延遲。而一般常用的低介電材料層例如有含氫的硅酸鹽(HydrogenSilsesqu...
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