技術(shù)編號(hào)：6923934
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體等離子蝕刻。更詳細(xì)地是，發(fā)明涉及探測(cè)界面和用于測(cè)量輸送到等離子室的射頻(RF)功率而改進(jìn)由RF功產(chǎn)生的熱量的散失的方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體業(yè)，等離子蝕刻已成為半導(dǎo)體電路制造所必要的部分。利用電場(chǎng)加速離子的等離子蝕刻有助于只蝕刻水平露出的表面而所以避免凹蝕。典型的等離子蝕刻系統(tǒng)將包括等離子室(裝要蝕刻的硅片)、功率輸出裝置和用于提供輸送到等離子室的RF功率的閉環(huán)控制的反饋裝置。反饋裝置一般包括根據(jù)流過導(dǎo)線的RF功率而產(chǎn)生模擬信號(hào)的探頭和...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。