技術(shù)編號：6911911
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的絕緣層，特別涉及絕緣層如硼磷硅酸鹽(BPSG)層的形成。用于形成該層的CVD工藝特性不僅影響目標(biāo)層，而且對預(yù)先形成的下層和任何后來待形成的上層都有影響。因此，當(dāng)形成目標(biāo)層時，鑒于下層和待形成的上層的工藝特性，應(yīng)該充分考慮化學(xué)和物理特性。通過向氧化物材料中摻雜磷得到的磷硅酸鹽玻璃(PSG)層和通過向氧化物材料中摻雜硼和磷得到的硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層是用做保護(hù)表面或電絕緣導(dǎo)電層的絕緣層的原始層類型。這主要是由于這些層...
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