技術編號：6895059
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種評估鍵合晶片(bonded wafer)的方法，所述鍵合 晶片無需使用絕緣膜而aill接鍵合活化層晶片(wafer for active layer)和支 持襯底晶片(wafer for support substrate)，薄活化層晶片形成。背景技術 ，具有通過在氧化物m形fiM層^^i胃的活化層的SOI結 構的半導體襯底適用于器件加ilii行且能耗低、耐壓'IW、環(huán)境耐性優(yōu)異等 等，以致于它們用作電子器件中髙性能LSI用的晶片。特別是需...
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