技術(shù)編號：6877280
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。由國防高級研究計劃局授權(quán)，協(xié)議號為MDA972-96-3-0014，通過政府支持獲得本發(fā)明。聯(lián)邦政府對本發(fā)明享有某些權(quán)利。本發(fā)明涉及光發(fā)射領(lǐng)域，特別涉及提供ALxGayInzN器件兩側(cè)面的高質(zhì)量反射表面。垂直諧振腔光電結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)，有源區(qū)由可能被摻雜的，沒摻雜的，或包含p-n結(jié)的插入限制層的光發(fā)射層形成。該結(jié)構(gòu)至少包括一個反射鏡，反射鏡在垂直光發(fā)射層的方向形成Fabry-Perot諧振腔。在GaN/ALxGayInzN/ALxGa1-xN(其中，在ALx...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。