技術(shù)編號(hào)：6868683
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上有關(guān)于一種半導(dǎo)體處理設(shè)備。更明確而言，本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種用于半導(dǎo)體制作與CVD系統(tǒng)的原位(in situ)干式清潔的化 學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)。背景技術(shù)當(dāng)基板表面暴露在氧氣下時(shí)，通常會(huì)形成原生氧化物(native oxide)。若基板表面在蝕刻過程中被污染，亦會(huì)產(chǎn)生原生氧化物。尤其在處理金氧 半場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor' MOSFET)結(jié)構(gòu)時(shí)，原生氧化硅膜會(huì)形成在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。