技術(shù)編號(hào)：6866327
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制備用于輻射探測(cè)器和光電應(yīng)用的半導(dǎo)體薄膜的方法和裝置。背景太陽(yáng)能電池是將日光直接轉(zhuǎn)換為電能的光電器件。最為常用的太陽(yáng)能電池材料是單晶或多晶晶片形式的硅。然而，使用硅基太陽(yáng)能電池生產(chǎn)電的成本高于用較傳統(tǒng)的方法生產(chǎn)電的成本。因此，從1970’s早期已進(jìn)行努力以降低用于地面使用的太陽(yáng)能電池的成本。降低太陽(yáng)能電池成本的一個(gè)方法是發(fā)展低成本的能在大面積基板上沉積太陽(yáng)能電池質(zhì)量的吸收材料的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)和使用高產(chǎn)量低成本的方法制造這些器件。包括一些IB族(Cu...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。