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半導體器件制造方法以及激光輻照設備的制作方法技術資料下載

技術編號:6832115

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本發(fā)明涉及到高度結晶的結晶半導體膜、具有結晶半導體膜的薄膜晶體管、以及具有薄膜晶體管的半導體器件。本發(fā)明還涉及到用來制造結晶半導體膜、薄膜晶體管、以及半導體器件的結晶方法。本發(fā)明還涉及到用來提供結晶方法的激光輻照設備。背景技術 新近,有關采用薄膜晶體管的先進半導體器件的研究已經(jīng)有了進展。特別是在要求高速和高功能的半導體器件中,必須得到具有高遷移率的薄膜晶體管(以下稱為TFT)。為了提高半導體膜的結晶性,以用來促進晶化的典型為鎳元素(Ni)的金屬元素被加入、...
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