技術(shù)編號：6820852
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種高速功率開關(guān)晶體管的結(jié)構(gòu)改進，屬于半導體器件。制造n+-p-v-n+結(jié)構(gòu)晶體管時，為滿足耐壓要求，就要增大基區(qū)寬度(以防止在高壓時的基區(qū)穿通)，但這對管子的電流增益、頻率特性和開關(guān)速度等有不良影響。日本的H.Kondo等人提出的一種柵輔助晶體管(gate associated transistor，縮寫為GAT)結(jié)構(gòu)較好地解決了這一問題。從其縱向結(jié)構(gòu)(圖1)看，這種晶體管在常規(guī)結(jié)構(gòu)的p型基區(qū)1兩側(cè)增加了p型柵區(qū)2，其結(jié)深比p基區(qū)大得多，它...
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