技術(shù)編號：6816211
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及處理如半導體晶片等的工件的方法和裝置，特別是但不絕對是，涉及提供工件的表面上有凹槽的層的方法和裝置。在我們早期共同未決的歐洲專利申請No.92304633.8和英國專利申請No.9619461.8(在這里做為參考引入其內(nèi)容)中，我們介紹了借助應用溫度和壓力來至少部分填充表面上凹槽的方法的改進。其它方法包括將熔化的金屬漂移進入凹槽，例如通過表面擴散。這種技術(shù)的主要應用之一是用于淀積互連層，該互連層一般包括幾部分，主要部分是(i)阻擋層。通常為鈦或鈦...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。