技術(shù)編號：6808954
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及采用簡單而能獲得增大的電極表面面積并能達(dá)到提高生產(chǎn)率和工作可靠性的工藝步驟來。近年來，半導(dǎo)體器件的高集成化的趨勢不可避免地包含單元尺寸的減小。然而，這種單元尺寸的減小造成了形成足夠容量的電容的困難。為了在包括一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管和一個(gè)電容器的動態(tài)隨機(jī)存取存貯器(DRAM)中得到增大的容量，曾提出用介電常數(shù)高的介質(zhì)材料制成的介質(zhì)膜，形成薄的介質(zhì)層以及形成增大其表面面積的電容器。但是，所有這些方法各有各的問題。雖然曾提出...
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