技術編號：6804859
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于磁隨機存儲器，特別是提供了一種具有低寫入電流特性的磁隨機存儲器(英文名為Magnetic Random Access Memory，以下簡稱MRAM)存儲單元及其制備方法，實現(xiàn)了超高存儲密度。背景技術 在二十一世紀的今天，信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為重要的支柱產(chǎn)業(yè)，而信息的存儲是當今信息科學的關鍵技術之一。大容量信息長期的存儲主要是通過磁記錄和光記錄技術來實現(xiàn)。磁記錄雖然已有很長的歷史，但仍然是目前信息存儲的主要方式。面對日新月異的信息時代，大容量、高速度、...
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