技術(shù)編號(hào)：6804817
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到一種用半導(dǎo)體材料制造納米線的方法，該方法包含權(quán)利要求1的前序部分中的步驟。本發(fā)明也涉及到半導(dǎo)體材料納米線在分散劑中的分散系(dispersion)。本發(fā)明還涉及到一種制造襯底上具有納米線的器件的方法，在該方法中在襯底上提供納米線的分散系。這樣一種方法來自于J.van den Meerakker，Pcoc.PorousSemiconductors，9-16March 2002。在已知的方法中，納米線從半導(dǎo)體襯底陽極刻蝕而成。由此可以在約20分鐘的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。