技術(shù)編號(hào)：5957562
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及一種測(cè)試金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor, M0S)器件溫度特性的結(jié)構(gòu)及方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展和微電子芯片集成度的大幅提高，集成電路設(shè)計(jì)和加工水平已經(jīng)進(jìn)入納米MOS時(shí)代，雖然單位器件的成本有所降低，但是針對(duì)先進(jìn)工藝技術(shù)的流片成本大幅升高，因此測(cè)試結(jié)構(gòu)所占用的面積受到制造成本的影響更加顯著。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，在納米尺度器件的速度得到很大提升的同時(shí)，器件功耗也急劇增加，因此針...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。