技術(shù)編號：5852505
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，屬于等離子體領(lǐng)域。背景技術(shù)近年來，基于介質(zhì)阻擋放電(DBD)原理產(chǎn)生的低溫等離子體在材料、微電子、化工、機械及環(huán)境保護等眾多學(xué)科領(lǐng)域中有著廣泛應(yīng)用，且已形成一個嶄新的工業(yè)——等離子體工業(yè)。例如在材料學(xué)科中，通常采用等離子體物理氣相沉積(PVD)和增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)及等離子體源離子注入(PSII)等技術(shù)來制備一些發(fā)光、光電、微電子、耐蝕耐磨及超硬等新型多功能薄膜材料。利用等離子體進行材料表面改性，改善材料表面的可濕性、吸水性、可染性、...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。