技術(shù)編號：5268699
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括步驟1）在溝槽表面生長隔離介質(zhì)層；2）涂布含硅的光刻膠，曝光顯影，去除不需要保護(hù)的區(qū)域的光刻膠，然后用強(qiáng)氧化劑在光刻膠表面形成氧化膜并固化；3）根據(jù)溝槽底部需要淀積的膜的寬度和光刻膠的厚度，計(jì)算出淀積角度，然后以該淀積角度，在硅片上淀積一層成膜材料；4）淀積完成后去除光刻膠。本發(fā)明通過在保護(hù)區(qū)域涂布含硅的光刻膠，并以一定的角度淀積成膜，有效地避免了成膜后，光刻膠殘留溝槽底部（正膠）或因溝槽底部光強(qiáng)不夠而無法形成有效的光刻膠保護(hù)（負(fù)膠）...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。