技術(shù)編號：5267344
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導體納米結(jié)構(gòu)和制造方法及其應用。 背景技術(shù)在過去四十多年中，硅基CMOS技術(shù)通過縮小特征尺寸來提高性能，然而當半導體 技術(shù)發(fā)展到納米尺度后，硅集成電路技術(shù)日益逼近其技術(shù)極限，采用新材料與新結(jié)構(gòu)來提 升CMOS的性能 已經(jīng)成為延續(xù)摩爾定律的一個重要方向。在新材料方面，采用高遷移率溝道材料是提高晶體管飽和驅(qū)動電流、縮短柵延遲 時間的有效方法，而且可以延長集成電路生產(chǎn)線的使用壽命。III-V族半導體材料的室溫電 子遷移率大約是...
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