技術(shù)編號(hào):5267124
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及電化學(xué)制造和關(guān)聯(lián)的通過(guò)一層覆蓋一層地構(gòu)筑沉積材料而形成三維結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域。具體而言,其涉及埋入在犧牲材料中的微結(jié)構(gòu)的形成,和經(jīng)由兩個(gè)或多個(gè)獨(dú)特的蝕刻操作從犧牲材料中釋放這些微結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) Adam L Cohen發(fā)明了一種從多個(gè)粘結(jié)層形成三維結(jié)構(gòu)(例如部件,元件,器件等)的技術(shù),該技術(shù)是公知的電化學(xué)制造技術(shù)。該技術(shù)由California的Burbank的MEMGen公司商業(yè)化推廣,命名為EFABTM。在2000年2月22日公開(kāi)的美國(guó)專利第6,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。