技術(shù)編號：4752718
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通過硬件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)對溫度的控制，通過自適應(yīng)算法模型對鹵素?zé)艄苓M(jìn)行功 率控制，來提高硅晶片的溫度均勻性和快速閃光退火爐的工作效率，滿足集成電路制造技 術(shù)對半導(dǎo)體工藝設(shè)備的飛速發(fā)展，快速閃光退火爐是半導(dǎo)體行業(yè)的工藝設(shè)備，該發(fā)明屬于 半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)從130nm到90nm以下工藝的微縮，每個(gè)芯片上集成的邏輯器件也 越來越多，作為離子摻雜的離子注入機(jī)的工藝步驟也越來越多，摻完雜后需要用快速退火 系統(tǒng)快速退火，要求退火效率45 70片/...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。