技術(shù)編號(hào)：3430509
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于稀磁半導(dǎo)體(DMS)的錳摻雜氮化鎵納米材料及其制備方法，屬于 稀磁半導(dǎo)體。 背景技術(shù)氮化鎵是一種性能優(yōu)越的直接帶隙半導(dǎo)體材料，帶隙為3.32電子伏，是世界公認(rèn)的第三 代半導(dǎo)體材料。目前己經(jīng)被廣泛應(yīng)用于藍(lán)光光電子器件、高頻、高功率電子器件等多個(gè)重要 領(lǐng)域。近年來隨著稀磁半導(dǎo)體在理論研究(如自旋計(jì)劃的輸運(yùn)、自旋相關(guān)的共振隧穿)和實(shí) 際應(yīng)用(如磁光和磁電器件、自旋量子計(jì)算機(jī))方面的潛在價(jià)值，越來越受到世界各國研究 人員的密切關(guān)注。氮化鎵基稀磁...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。