技術(shù)編號：3365472
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。按照本發(fā)明的實施例一般涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法和裝置，具體地涉及高溫沉積工藝中采用的氣體分配噴頭。背景技術(shù) 高溫化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)。圖1A顯示用于執(zhí)行傳統(tǒng)的高溫化學(xué)氣相沉積裝置的簡化剖視圖。為了說明的目的，圖1A-本申請的另一個圖沒有按比例顯示。裝置100包括晶片支撐結(jié)構(gòu)104，其設(shè)置在沉積腔室105內(nèi)。在襯底加工過程中，晶片102可設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)104上面。氣體分配噴頭106定位在晶片102的上方，且和晶片102以間隙(g...
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