技術(shù)編號(hào)：3362138
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及以一定方式在工件中的凹槽內(nèi)等離子氣相沉積金屬的方法，以實(shí)現(xiàn)將 凹槽底部的金屬再濺射(re-sputtering)至側(cè)壁上。背景技術(shù)使用離子化金屬的濺射技術(shù)是公知的，其涉及高功率非平衡磁控管放電源。利用 通過向晶片基座施加RF功率所引起的DC偏壓使金屬離子被吸引至在工件(例如半導(dǎo)體晶 片)中形成的凹槽的底部。這在凹槽中產(chǎn)生改良的底部和側(cè)壁覆蓋率。已知可通過將已沉 積在底部的金屬再濺射至凹槽側(cè)壁的較下部分和中間部分來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的改進(jìn)。為實(shí)現(xiàn)再 濺射，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。