技術(shù)編號：3308241
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在此提供用于處理基板的設(shè)備。在一些實施方式中，一種設(shè)備包括處理配件，所述處理配件包括擋板，所述擋板具有配置成圍繞第一容積的一個或更多個側(cè)壁，所述第一容積設(shè)置在工藝腔室的內(nèi)容積內(nèi)；以及第一環(huán)，所述第一環(huán)可移動地介于第一位置與第二位置之間，在第一位置，第一環(huán)置于擋板上，而在第二位置，在第一環(huán)的外表面與一個或更多個側(cè)壁的內(nèi)表面之間形成間隙，其中對于在約40MHz或更高的頻率下和約140毫托或更低的壓力下形成的等離子體而言，間隙的寬度小于約兩倍等離子體殼層的寬度。...
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