技術(shù)編號(hào)：2969449
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于真空電子發(fā)射型平板顯示，特別涉及一種新型平面型雙絕緣層薄膜場發(fā)射陰極。目前使用的各種MISM結(jié)構(gòu)中，玻璃基板通常是帶有離子隔離層的平板玻璃，離子隔離層可以是二氧化硅、三氧化二鋁、氮化硅等薄膜；下電極層采用鋁、金、鉬等單層金屬薄膜；絕緣層采用二氧化硅、三氧化二鋁等單層絕緣材料；半導(dǎo)體層采用硅或砷化鎵；上電極層采用金、鉑、鋁等單層金屬薄膜。在上述MISM結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體層的作用是增加電子在其中的動(dòng)能，以期達(dá)到較大的電子發(fā)射。實(shí)際上，由于硅薄膜處于非晶態(tài)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。