技術(shù)編號：2945447
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種離子注入，具體而言涉及一種離子注入裝置的離子注入量控制。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造エ序中，為了改變導(dǎo)電性的目的、改變晶片的晶體結(jié)構(gòu)的目的等，標(biāo)準(zhǔn)地實施向半導(dǎo)體晶片入射離子的エ序。在該エ序中使用的裝置稱為離子注入裝置，其具有形成通過離子源離子化之后被加速的離子束的功能和將該離子束通過射束掃描、晶片機械掃描或它們的組合向半導(dǎo)體晶片整個面照射的功能。在半導(dǎo)體制造エ序中，從制作在晶片整個面上相同性能的半導(dǎo)體芯片的目的考 慮，通常需要在晶片面內(nèi)設(shè)定均等的條件...
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