技術(shù)編號：2934163
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種二維束#度量測的方法及其裝置。 背景技術(shù)離子植入(Ion implantation)是用于將變更特性的雜質(zhì)引入各種基 板的標準技術(shù)。在離子源中離子化所要雜質(zhì)材料，加速離子以形成具有指 定能量的離子束且在基板的前表面處導(dǎo)向離子束。 一常見實例為經(jīng)由諸如 硼、砷等的雜質(zhì)的植入的半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率的改變。離子束中的高能離 子穿透至半導(dǎo)體材料的主體中且嵌入至半導(dǎo)體材料的晶格中以形成具有所 要傳導(dǎo)率的區(qū)域。離子植入器(ion implanter)通常包...
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