技術(shù)編號:2934078
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是涉及一種具有離子生成源的離子注入機,生成源發(fā)射離子以 形成用于工件射束處理的離子束。背景技術(shù)離子注入機可以通過利用離子束轟擊晶片而用于處理硅晶片。這種射 束處理的一種用途是對晶片選擇性地摻入被控制濃度的雜質(zhì),以在制造集 成電路期間產(chǎn)生半導體材料。典型的離子注入機包括離子源、離子提取裝置、質(zhì)量分析裝置、射束 傳送裝置、和晶片處理裝置。離子源生成期望的原子或分子摻雜劑種類的 離子。這些離子通過提取是統(tǒng)從源提取,提取是統(tǒng)通常為一組電極,這組 電極通電并引...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。